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4月8日午间，士兰微(600460)披露公司碳化硅项目的最新进展。经过加快建设，第Ⅱ代SiC芯片生产线产能正在释放。同时，第Ⅳ代SiC芯片与模块已送样，且预计今年将上量。
公告显示，2024年，士兰微加快推进“士兰明镓6英寸SiC功率器件芯片生产线”项目的建设。截至目前，士兰明镓已形成月产9000片6英寸SiC MOS芯片的生产能力。基于公司自主研发的Ⅱ代SiC-MOSFET芯片生产的电动汽车主电机驱动模块在4家国内汽车厂家累计出货量5万只，客户端反映良好，随着6英寸SiC芯片生产线产能释放，已实现大批量生产和交付。
目前，士兰微已完成第Ⅳ代平面栅SiC-MOSFET技术的开发，性能指标接近沟槽栅SiC器件的水平。第Ⅳ代SiC芯片与模块已送客户评测，基于第Ⅳ代SiC芯片的功率模块预计将于2025年上量。
同时，士兰微还加快推进“士兰集宏8英寸SiC功率器件芯片生产线”项目的建设。截至2024年底，士兰集宏8英寸SiC mini line已实现通线，公司Ⅱ代SiC芯片已在8英寸mini line上试流片成功，其参数与公司6英寸产品匹配，良品率明显高于6英寸。士兰集宏主厂房及其他建筑物已全面封顶，正在进行净化装修，预计将在2025年四季度实现全面通线并试生产，以赶上2026年车用SiC市场的快速成长。
据悉，士兰微是国内少有的IDM(设计与制造一体)半导体企业，公司通过持续推出富有竞争力的产品，持续加大对大型白电、通讯、工业、新能源、汽车等高门槛市场的拓展力度，加快产品结构调整的步伐，且取得积极成效。2024年，公司电路和器件成品的销售收入中，已有超过75%的收入来自大型白电、通讯、工业、新能源、汽车等高门槛市场。
此前披露的业绩预告显示，士兰微预计2024年度实现归母净利润为1.5亿元到1.9亿元，与上年同期相比，将实现扭亏为盈；预计扣非后净利润1.84亿元到2.24亿元，与上年同期相比，同比增加212.39%到280.31%。
士兰微表示，当前，在国家政策持续支持，以及下游电动汽车、新能源、算力和通讯等行业快速发展、芯片国产替代进程明显加快的大背景下，公司将加快实施“一体化”战略，持续加大对模拟电路、功率半导体、MEMS传感器，包括SiC、GaN在内的第三代化合物半导体等方面的投入，大力推进系统创新和技术整合，积极拓展汽车、新能源、工业、通讯、大型白电、电力电子等中高端市场，不断提升产品附加值和产品品牌力，持续推动公司整体营收的较快成长和经营效益的提升，努力为国家集成电路产业发展做出贡献。
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